结果表明，起也没用在MoS2惰性基面引入空位缺陷将暴露大量Mo-S悬空键，增加MoS2表面活性位点促进电子的捕获，提高光生电子-空穴对的分离率。
本文报道了过渡金属氧化物接触(如Ta-WOx/NiOx)的热降解机理，知识并提出了一种由酸掺杂聚合物堆积在无掺杂聚合物上的双层结构作为替代。在室温下，怕胸在模拟AM1.5G照明下，器件的稳态效率约为20.5%(图4b)，对应于在高温(60-65℃)下最初较低的PCE为18.5%(图4c，d)。
另一方面，下垂胸罩对于钙钛矿分解产生的微量蒸汽，它们在化学上应该是惰性的，并且应该有很强的缓冲作用来抑制电极断裂。起也没用相关工作以题为Abilayerconductingpolymerstructureforplanarperovskitesolarcellswithover1,400 hoursoperationalstabilityatelevatedtemperatures的研究性文章在《NatureEnergy》上发表。本文发现，知识在N2中，Ta-WOx、NiOx和Sb-SnOx等p型金属氧化物在温度从25℃升高到85℃时表现出瞬态电导(图2f，h)。
在图1c中，怕胸成分代表了本文配方中没有其他过量添加剂的标称比例。对于其他基于过渡金属氧化物的器件，下垂胸罩例如Sb-SnOx、NiOx和MoOx也观察到FF的减少(图2d)。
起也没用图2|基于Ta-WOX的器件特性和电导分析。
一方面，知识载流子传输层在老化温度升高时应具有稳定的电导，这是实现稳定欧姆接触的基础。由p型Ba2BiTaO6和n型Nb掺杂SrTiO3构成的P-N结二极管在±3V时具有1.3×104的高整流率，怕胸具有制备高质量器件的巨大潜力。
p型氧化物半导体的缺乏严重阻碍了许多关键技术的发展，下垂胸罩例如用于高分辨率节能显示器的p通道薄膜晶体管(TFT)和CMOS逆变器;p型半导体层有效的空穴传输在光伏和可见光有源光电阴极太阳能水分解。起也没用(d)-(f)用红点标记价带最大值(VBM)和导带最小值(CBM)点。
知识(a)-(c)中的插图显示的是−2.5eV到4.5eV范围内放大的波段边缘区域。高迁移率归因于VB边缘的高色散性，怕胸这是Bi6s与VB顶部的O2p的强耦合造成的，导致了较低的空穴有效质量(0.4-0.7me)。
